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APTM100SK40T1

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  • APTM100SK40T1
    APTM100SK40T1

    APTM100SK40T1

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人：張小姐

    電話：15961889150

    地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質：營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • E51X40-12L

  • 25+

  • -

  • 國產品牌，替代進口

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
APTM100SK40T1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
APTM100SK40T1 技術參數
  • APTM100SK33T1G 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 23A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:23A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:396 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:305nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7868pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTM100SK18TG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:43A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:210 毫歐 @ 21.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:372nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10400pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM100H80FT1G 功能描述:MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:960 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3876pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTM100H46FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝 零件狀態:在售 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準 漏源電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:19A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:552 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:260nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6800pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM100H45STG 功能描述:MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:540 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:154nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4350pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM100UM65DAG APTM100UM65SAG APTM100UM65SCAVG APTM10AM02FG APTM10AM05FTG APTM10DAM02G APTM10DAM05TG APTM10DDAM09T3G APTM10DDAM19T3G APTM10DHM05G APTM10DHM09TG APTM10DSKM09T3G APTM10DSKM19T3G APTM10DUM02G APTM10DUM05TG APTM10HM05FG APTM10HM09FT3G APTM10HM09FTG
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