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APTM10AM02FG

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型號
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封裝
批號
價格
說明
操作

APTM10AM02FG
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層
5000
Microsemi
SP6
11+
-
100%進口原裝正品，只做原裝

APTM10AM02FG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原裝

APTM10AM02FG
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進口現貨電話010-62104...

APTM10AM02FG
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
55
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

APTM10AM02FG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP6
23+
-
微芯專營優勢產品

APTM10AM02FG
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
APT
MODULE
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

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功能描述
PWR MODULE MOSFET 100V 495A SP6
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> FET
系列
-
標準包裝
10
系列
*

APTM10AM02FG 技術參數

APTM100UM65SCAVG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:1000V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:145A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1068nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:28500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3250W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 72.5A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝供應商器件封裝:SP6 封裝/外殼:模塊標準包裝:1 APTM100UM65SAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:145A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 72.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1068nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:28500pF @ 25V 功率 - 最大值:3250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM100UM65DAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:145A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 72.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1068nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:28500pF @ 25V 功率 - 最大值:3250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM100UM60FAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 129A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:129A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 64.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 15mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1116nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:31100pF @ 25V 功率 - 最大值:2272W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM100UM45FAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:215A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:52 毫歐 @ 107.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1602nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:42700pF @ 25V 功率 - 最大值:5000W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM10DUM02G APTM10DUM05TG APTM10HM05FG APTM10HM09FT3G APTM10HM09FTG APTM10HM19FT3G APTM10SKM02G APTM10SKM05TG APTM10TAM09FPG APTM10TAM19FPG APTM10TDUM09PG APTM10TDUM19PG APTM10UM01FAG APTM10UM02FAG APTM120A15FG APTM120A20DG APTM120A20SG APTM120A29FTG

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