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APTM120A65FT1

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  • APTM120A65FT1
    APTM120A65FT1

    APTM120A65FT1

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • E51X40-12L

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
APTM120A65FT1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
APTM120A65FT1 技術參數
  • APTM120A29FTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):34A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):348 毫歐 @ 17A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):374nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10300pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM120A20SG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):50A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):240 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):600nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):15200pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM120A20DG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):50A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):240 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):600nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):15200pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM120A15FG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):60A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):175 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):748nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):20600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM10UM02FAG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 570A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):570A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 200A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1360nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):40000pF @ 25V 功率 - 最大值:1660W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM120DSK57T3G APTM120DU15G APTM120DU29TG APTM120H140FT1G APTM120H29FG APTM120H57FT3G APTM120H57FTG APTM120SK15G APTM120SK29TG APTM120SK56T1G APTM120SK68T1G APTM120TA57FPG APTM120TDU57PG APTM120U10DAG APTM120U10SAG APTM120U10SCAVG APTM120UM70DAG APTM120UM70FAG
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