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APTM120UM95FAG

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APTM120UM95FAG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 1200V 103A SP6
  • RoHS
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTM120UM95FAG 技術(shù)參數(shù)
  • APTM120UM70FAG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):171A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):80 毫歐 @ 85.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 30mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1650nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):43500pF @ 25V 功率 - 最大值:5000W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120UM70DAG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):171A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):80 毫歐 @ 85.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 30mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1650nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):43500pF @ 25V 功率 - 最大值:5000W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120U10SCAVG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):116A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 58A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 20mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):28900pF @ 25V 功率 - 最大值:3290W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120U10SAG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):116A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 58A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 20mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):28900pF @ 25V 功率 - 最大值:3290W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120U10DAG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):116A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 58A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 20mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):28900pF @ 25V 功率 - 最大值:3290W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20DAM08TG APTM20DAM10TG APTM20DHM08G APTM20DHM10G APTM20DHM16T3G APTM20DHM16TG APTM20DHM20TG APTM20DUM04G APTM20DUM05G APTM20DUM05TG APTM20DUM08TG APTM20DUM10TG APTM20HM08FG APTM20HM10FG APTM20HM16FTG APTM20HM20FTG APTM20HM20STG APTM20SKM04G
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