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APTMC170AM30CT1

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  • APTMC170AM30CT1AG
    APTMC170AM30CT1AG

    APTMC170AM30CT1AG

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP1

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優勢產品

  • APTMC170AM30CT1
    APTMC170AM30CT1

    APTMC170AM30CT1

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • E51X40-16L

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
APTMC170AM30CT1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
APTMC170AM30CT1 技術參數
  • APTMC120TAM34CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC MOSFET 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):74A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):34 毫歐 @ 50A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 15mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):161nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2788pF @ 1000V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTMC120TAM33CTPAG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):78A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):33 毫歐 @ 60A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 3mA(標準) 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):148nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2850pF @ 1000V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTMC120TAM17CTPAG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1200V 147A SP6P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):147A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):17 毫歐 @ 100A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 20mA(標準) 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):322nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5600pF @ 1000V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTMC120TAM12CTPAG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):220A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 毫歐 @ 150A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 30mA(標準) 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):483nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):8400pF @ 1000V 功率 - 最大值:925W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTMC120HRM40CT3G 功能描述:MOSFET N-CH 1200V SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:2 N 溝道(相腳 + 雙共發射極) 應用:* 電壓 - 額定:1200V(1.2kV) 額定電流:* 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTML202UM18R010T3AG APTML20UM18R010T1AG APTML502UM90R020T3AG APTML50UM90R020T1AG APTML602U12R020T3AG APTML60U12R020T1AG APTR3216CGCK APTR3216EC APTR3216MGC APTR3216PBC/A APTR3216QBC/D APTR3216QWF/D APTR3216SECK APTR3216SGC APTR3216SRCPRV APTR3216SURCK APTR3216SYCK APTR3216YC
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