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APTML202UM18R010T3A

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  • APTML202UM18R010T3A
    APTML202UM18R010T3A

    APTML202UM18R010T3A

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • E73X40-32L

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

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APTML202UM18R010T3A PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
APTML202UM18R010T3A 技術參數
  • APTML10UM09R004T1AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 154A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):154A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):9875pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):480W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 69.5A,10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 供應商器件封裝:SP1 封裝/外殼:SP1 標準包裝:1 APTML102UM09R004T3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 154A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):154A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 69.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):9875pF @ 25V 功率 - 最大值:480W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTML100U60R020T1AG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):720 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6000pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTML1002U60R020T3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):720 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):6000pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTMC60TLM55CT3AG 功能描述:MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道(三級反相器) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):55A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):49 毫歐 @ 40A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 2mA(標準) 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):98nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1900pF @ 1000V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTR3216PBC/A APTR3216QBC/D APTR3216QWF/D APTR3216SECK APTR3216SGC APTR3216SRCPRV APTR3216SURCK APTR3216SYCK APTR3216YC APTR3216ZGC APTR3216ZGCK APTRG8A120G APTS003A0X4-SRZ APTS003A0X-SRDZ APTS003A0X-SRZ APTS006A0X4-SRZ APTS006A0X-SRDZ APTS006A0X-SRZ
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