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AUIRLR2905TRL

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • AUIRLR2905TRL
    AUIRLR2905TRL

    AUIRLR2905TRL

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • D-Pak

  • 19+

  • -
  • 代理直銷!進口原裝正品!

  • AUIRLR2905TRL
    AUIRLR2905TRL

    AUIRLR2905TRL

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 5000

  • INTERNATI

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • AUIRLR2905TRL
    AUIRLR2905TRL

    AUIRLR2905TRL

  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯系人:丁皓鵬

    電話:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331

    資質:營業執照

  • 10000

  • IRC

  • DPAK

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,價格優勢!

  • 1/1頁 40條/頁 共17條 
  • 1
AUIRLR2905TRL PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
AUIRLR2905TRL 技術參數
  • AUIRLR2905 功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):42A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):27 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):48nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1700pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:75 AUIRLR2703 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):450pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:75 AUIRLR120NTRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):185 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):440pF @ 25V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-PAK(TO-252AA) 標準包裝:3,000 AUIRLR120N 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):185 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):440pF @ 25V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-PAK(TO-252AA) 標準包裝:75 AUIRLR024ZTRL 功能描述:MOSFET N CH 55V 16A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:最後搶購 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):16A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):9.9nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):380pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):35W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):58 毫歐 @ 9.6A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D-Pak 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標準包裝:1 AUIRLR3705Z AUIRLR3915 AUIRLS3034 AUIRLS3034-7P AUIRLS3034-7TRL AUIRLS3036 AUIRLS3036-7P AUIRLS3036-7TRL AUIRLS3036TRL AUIRLS3114Z AUIRLS4030 AUIRLS4030-7P AUIRLS4030-7TRL AUIRLS4030TRL AUIRLS8409-7P AUIRLS8409-7TRL AUIRLSL3036 AUIRLU024Z
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