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AUIRLU024Z

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • AUIRLU024Z-VB
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  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13969210552

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

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  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • AUTOMOTIVE MOSFET 55V 7A 58MOHM - Rail/Tube
  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • MOSFET N CH 55V 16A SOT 223
  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • Automotive FET 55V 7A 58mOhm
AUIRLU024Z 技術(shù)參數(shù)
  • AUIRLSL3036 功能描述:MOSFET N-CH 60V 270A TO262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:195A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 165A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:140nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11210pF @ 50V 功率 - 最大值:380W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-262 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRLS8409-7TRL 功能描述:MOSFET NCH 40V 240A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:* 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:240A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:0.75 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:266nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:16488pF @ 25V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片） 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK（7-Lead） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AUIRLS8409-7P 功能描述:MOSFET NCH 40V 240A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:240A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:0.75 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:266nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:16488pF @ 25V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片） 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK（7-Lead） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRLS4030TRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:180A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.3 毫歐 @ 110A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:130nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11360pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AUIRLS4030-7TRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:190A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.9 毫歐 @ 110A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:140nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11490pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片） 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK（7-Lead） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AUIRS1170STR AUIRS2003S AUIRS2004S AUIRS2012STR AUIRS20161S AUIRS20162STR AUIRS20302S AUIRS20302STR AUIRS2092S AUIRS2092STR AUIRS2110S AUIRS2112S AUIRS2113S AUIRS2113STR AUIRS2117S AUIRS2117STR AUIRS2118S AUIRS2118STR
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