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BS108/01 AMO

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  • 功能描述
  • MOSFET AMMORA MOSFET
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BS108/01 AMO 技術(shù)參數(shù)
  • BS108,126 功能描述:MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:300mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 100mA，2.8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:120pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BS107PSTZ 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E-Line-3 供應(yīng)商器件封裝:E-Line（TO-92 兼容） 標準包裝:2,000 BS107PSTOB 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E-Line-3 供應(yīng)商器件封裝:E-Line（TO-92 兼容） 標準包裝:2,000 BS107PSTOA 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E-Line-3 供應(yīng)商器件封裝:E-Line（TO-92 兼容） 標準包裝:2,000 BS107P 功能描述:MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:4,000 BS-1225-PC BS-125.000MBC-T BS-125.000MCC-T BS12I BS12I-22 BS12I-HD-24AWG BS12I-MC BS12I-NICAD BS12T BS12T-HD BS12T-MC BS1301-7R BS14-C BS14-E BS14-L BS14-M BS14P-SHF-1AA(LF)(SN) BS-150.000MBC-T
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