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BS108，126

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BS108,126
    BS108,126

    BS108,126

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質：營業執照

  • 3000

  • PHI

  • 標準封裝

  • 13+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質量

  • BS108,126
    BS108,126

    BS108,126

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質：營業執照

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  • 標準封裝

  • 13+

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  • BS108,126
    BS108,126

    BS108,126

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質：營業執照

  • 3000

  • PHI

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  • 13+

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  • BS108,126
    BS108,126

    BS108,126

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：史仙雁

    電話：19129911934（手機優先微信同號）0755-82813018

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 2300

  • NXP

  • ROHS

  • 13+

  • -

  • 全新原裝正品 歡迎來電0755-8286...

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  • 1
BS108，126 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET AMMORA MOSFET
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BS108，126 技術參數
  • BS107PSTZ 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E-Line-3 供應商器件封裝:E-Line（TO-92 兼容） 標準包裝:2,000 BS107PSTOB 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E-Line-3 供應商器件封裝:E-Line（TO-92 兼容） 標準包裝:2,000 BS107PSTOA 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E-Line-3 供應商器件封裝:E-Line（TO-92 兼容） 標準包裝:2,000 BS107P 功能描述:MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA） 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:4,000 BS107G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:250mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:60pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA） 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1,000 BS-1225-PC BS-125.000MBC-T BS-125.000MCC-T BS12I BS12I-22 BS12I-HD-24AWG BS12I-MC BS12I-NICAD BS12T BS12T-HD BS12T-MC BS1301-7R BS14-C BS14-E BS14-L BS14-M BS14P-SHF-1AA(LF)(SN) BS-150.000MBC-T
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