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BSB015N04NX3GXUMA1

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
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  • 廣東濟德精密電子有限公司
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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 40V 35A 7-Pin WDSON
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
BSB015N04NX3GXUMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSB015N04NX3 G 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):36A(Ta),180A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.5 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):142nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):12000pF @ 20V 功率 - 最大值:89W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 標準包裝:1 BSB01503HA3-00CGE 功能描述:15X15X3MM 3V DC FAN, W/SPEED SEN 制造商:delta electronics 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 額定:3VDC 大小/尺寸:方形 - 15mm 長 x 15mm 高 寬度:3.50mm 氣流:0.170 CFM(0.005m3/min) 靜壓力:0.154 英寸水柱(38.4 Pa) 軸承類型:套管 風扇類型:鼓風機 特性:轉(zhuǎn)子鎖定保護,速度傳感器(轉(zhuǎn)速表) 噪聲:30.0 dB(A) 功率(W):150mW RPM:13800 RPM 端接:3 位置矩形連接器 侵入防護:- 工作溫度:14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C) 認可:- 重量:0.003 磅(1.36g) 額定電流:0.050A 電壓范圍:2 ~ 3.5VDC 材料 - 框架:塑料 材料 - 刀片:塑料 不同溫度時的使用壽命:40°C 時為 30000 小時 標準包裝:195 BSB014N04LX3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):36A(Ta),180A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):196nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):16900pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.8W(Ta),89W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 毫歐 @ 30A,10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 封裝/外殼:3-WDSON 標準包裝:1 BSB014N04LX3 G 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):36A(Ta),180A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):196nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):16900pF @ 20V 功率 - 最大值:89W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 標準包裝:1 BSB013NE2LXIXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):36A(Ta),163A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):62nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4400pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.8W(Ta),57W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.3 毫歐 @ 30A,10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 封裝/外殼:3-WDSON 標準包裝:1 BSB053N03LP G BSB056N10NN3GXUMA1 BSB104N08NP3GXUSA1 BSB1270002 BSB1270003 BSB165N15NZ3 G BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB280N15NZ3GXUMA1 BSC009NE2LS BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSTATMA1 BSC010NE2LS BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSI
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