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BSC035N04LSGATMA1

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 8650000

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質:營業執照

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  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 329312

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室

    資質:營業執照

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:

    電話:18724450645

    地址:中國上海

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

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    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

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  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

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  • 深圳市瑞斯特電子科技有限公司
    深圳市瑞斯特電子科技有限公司

    聯系人:楊銳鋒

    電話:0755-8255091013189682405

    地址:深圳福田區華強廣場二樓Q2B046

  • 20000

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  • BSC035N04LSGATMA1
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  • 科創特電子(香港)有限公司
    科創特電子(香港)有限公司

    聯系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907

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  • 主營優勢

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Cut TR (SOS)
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
BSC035N04LSGATMA1 技術參數
  • BSC034N06NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.4 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 41μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):41nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3000pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC034N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):22A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.4 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):52nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4300pF @ 15V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:5,000 BSC032NE2LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 22A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):22A(Ta),84A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.2 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1200pF @ 12V 功率 - 最大值:37W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC032N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 21A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):21A(Ta),98A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.2 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1800pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC032N03SG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):23A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.2 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 70μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):39nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5080pF @ 15V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC042N03MSGATMA1 BSC042N03S G BSC042N03ST BSC042NE7NS3GATMA1 BSC046N02KS G BSC046N02KSGAUMA1 BSC046N10NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 BSC048N025S G BSC0500NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 BSC050N03LS G BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03MSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1
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