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BSC065N06LS5ATMA1

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSC065N06LS5ATMA1
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
INFINEON/英飛凌
TDSON-8
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

BSC065N06LS5ATMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
328896
INFINEON
con
24+
-

BSC065N06LS5ATMA1
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
328896
INFINEON
con
24+
-

BSC065N06LS5ATMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
328896
INFINEON
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

BSC065N06LS5ATMA1
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業執照
328896
INFINEON
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

BSC065N06LS5ATMA1
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
328896
INFINEON
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

BSC065N06LS5ATMA1
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
5000
INFINEON
價格優勢
2451
-
全新原裝渠道現貨

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1

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BSC065N06LS5ATMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSC065N06LS5ATMA1 PDF下載

功能描述
MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON
制造商
infineon technologies
系列
OptiMOS??
零件狀態
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
64A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.3V @ 20μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
13nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1800pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
46W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
6.5 毫歐 @ 32A，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
PG-TDSON-8
封裝/外殼
8-PowerTDFN
標準包裝
5,000

BSC065N06LS5ATMA1 技術參數

BSC061N08NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 82A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:82A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.1 毫歐 @ 41A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 41μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2500pF @ 40V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:5,000 BSC060P03NS3EGATMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17.7A（Ta），100A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:81nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6020pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），83W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 50A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC060P03NS3E G 功能描述:MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17.7A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:81nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6020pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC060N10NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14.9A（Ta），90A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:68nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4900pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC059N04LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 73A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:16A（Ta），73A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.9 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 23μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3200pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC077N12NS3GATMA1 BSC079N03LSCGATMA1 BSC079N03SG BSC079N10NSGATMA1 BSC080N03LSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 BSC080P03LS G BSC080P03LSGAUMA1 BSC082N10LSGATMA1 BSC084P03NS3 G BSC084P03NS3EGATMA1 BSC084P03NS3GATMA1 BSC085N025S G BSC0901NS BSC0901NSATMA1 BSC0901NSI BSC0901NSIATMA1 BSC0902NS