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BSC097N06NSTATMA1

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價格
說明
操作

BSC097N06NSTATMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
329779
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24+
-

BSC097N06NSTATMA1
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
329779
INFINEON
con
24+
-

BSC097N06NSTATMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
329779
INFINEON
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

BSC097N06NSTATMA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

BSC097N06NSTATMA1
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業執照
329779
INFINEON
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

BSC097N06NSTATMA1
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
329779
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con
24+
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現貨常備京北通宇商城可查價格

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功能描述
DIFFERENTIATED MOSFETS
制造商
infineon technologies
系列
*
零件狀態
在售
標準包裝
5,000

BSC097N06NSTATMA1 技術參數

BSC097N06NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:46A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.7 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 14μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1075pF @ 30V 功率 - 最大值:36W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC094N06LS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:47A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 14μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9.4nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1300pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:36W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.4 毫歐 @ 24A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:5,000 BSC094N03S G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14.6A（Ta），35A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.4 毫歐 @ 35A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 25μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1800pF @ 15V 功率 - 最大值:52W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:5,000 BSC093N15NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 87A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:87A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.3 毫歐 @ 44A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.6V @ 107μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3230pF @ 75V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC093N04LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta），49A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.3 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 14μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 20V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC109N10NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 BSC118N10NSGATMA1 BSC119N03S G BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N10LSGATMA1 BSC12DN20NS3 G BSC12DN20NS3GATMA1 BSC130P03LS G BSC130P03LSGAUMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 BSC150N03LD G BSC150N03LDGATMA1 BSC152N10NSFGATMA1