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BSC320N20NS3GATMA1

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  • BSC320N20NS3GATMA1
    BSC320N20NS3GATMA1

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  • 集好芯城
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    聯系人:陳先生 13360533550

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    地址:深圳市福田區深南中路漢國城市商業中心55層 香港新界葵興葵康大廈6樓

    資質:營業執照

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
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    聯系人:

    電話:18724450645

    地址:中國上海

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  • 優勢庫存,原裝正品

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:洪寶宇

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  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

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  • BSC320N20NS3GATMA1
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  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

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  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
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    聯系人:王小姐

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  • BSC320N20NS3GATMA1
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
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    聯系人:王小姐

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
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    聯系人:周小姐/高先生/曹先生

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    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

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  • Infineon Technologies

  • PG-TDSON-8

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • BSC320N20NS3GATMA1
    BSC320N20NS3GATMA1

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  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    聯系人:許先生

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    地址:華強北都會軒4507

    資質:營業執照

  • 12500

  • INFINEON/英飛凌

  • TDSON-8

  • 24+

  • -
  • 原裝正品,可含稅供應。品質保障

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  • 1
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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
BSC320N20NS3GATMA1 技術參數
  • BSC320N20NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):36A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):32 毫歐 @ 36A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2350pF @ 100V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC265N10LSFGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6.5A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):26.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 43μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1600pF @ 50V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC252N10NSFGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7.2A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):25.2 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 43μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1100pF @ 50V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC240N12NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 120V 37A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):120V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):37A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 31A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 35μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1900pF @ 60V 功率 - 最大值:66W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC22DN20NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 13μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):5.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):430pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):34W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):225 毫歐 @ 3.5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC750N10ND G BSC750N10NDGATMA1 BSC882N03LSGATMA1 BSC882N03MSGATMA1 BSC883N03LSGATMA1 BSC883N03MSGATMA1 BSC884N03MS G BSC886N03LSGATMA1 BSC889N03LSGATMA1 BSC889N03MSGATMA1 BSC900N20NS3 G BSC900N20NS3GATMA1 BSC9131NJE7HHHB BSC9131NJN1HHHB BSC9131NJN7HHHB BSC9131NLE7HHHB BSC9131NLN1HHHB BSC9131NSE7KHKB
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