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BSC0993NDATMA1

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  • BSC0993NDATMA1
    BSC0993NDATMA1

    BSC0993NDATMA1

  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 172

  • INFINEON

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  • 晶體管

  • BSC0993NDATMA1
    BSC0993NDATMA1

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  • 廣東濟德精密電子有限公司
    廣東濟德精密電子有限公司

    聯系人:

    電話:18724450645

    地址:東莞市大朗鎮松木山村德利路1號2棟2樓

  • 182

  • INFINEON

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 8TISON
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • *
  • 零件狀態
  • 在售
  • 標準包裝
  • 5,000
BSC0993NDATMA1 技術參數
  • BSC098N10NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.8 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 36μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):28nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2100pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC097N06NSTATMA1 功能描述:DIFFERENTIATED MOSFETS 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:5,000 BSC097N06NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):46A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.7 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 14μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1075pF @ 30V 功率 - 最大值:36W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC094N06LS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):47A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 14μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):9.4nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1300pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):36W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.4 毫歐 @ 24A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:5,000 BSC094N03S G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):14.6A(Ta),35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.4 毫歐 @ 35A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 25μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1800pF @ 15V 功率 - 最大值:52W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:5,000 BSC110N15NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 BSC118N10NSGATMA1 BSC119N03S G BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N10LSGATMA1 BSC12DN20NS3 G BSC12DN20NS3GATMA1 BSC130P03LS G BSC130P03LSGAUMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 BSC150N03LD G BSC150N03LDGATMA1 BSC152N10NSFGATMA1 BSC159N10LSF G BSC159N10LSFGATMA1
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