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BSC072N08NS5ATMA1

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  • BSC072N08NS5ATMA1
    BSC072N08NS5ATMA1

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  • 集好芯城
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    聯系人:陳先生 13360533550

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    地址:深圳市福田區深南中路漢國城市商業中心55層 香港新界葵興葵康大廈6樓

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:洪寶宇

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  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

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  • 場效應管

  • BSC072N08NS5ATMA1
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  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪寶宇

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    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

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  • BSC072N08NS5ATMA1
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  • 廣東濟德精密電子有限公司
    廣東濟德精密電子有限公司

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    電話:18724450645

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  • BSC072N08NS5ATMA1
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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
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    地址:中國上海

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

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    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
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    地址:上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室

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  • BSC072N08NS5ATMA1
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  • 深圳市百潤電子有限公司
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    電話:17876146278

    地址:沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A

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  • TI

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  • 深圳市眾芯微電子有限公司
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    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

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  • Infineon Technologies

  • PG-TDSON-8

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • OptiMOS??
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 80V
  • 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
  • 74A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 7.2 毫歐 @ 37A, 10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 3.8V @ 36μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 29nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 2100pF @ 40V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • *
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerTDFN
  • 供應商器件封裝
  • PG-TDSON-8
  • 標準包裝
  • 1
BSC072N08NS5ATMA1 技術參數
  • BSC072N03LDGATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):11.5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.2 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):41nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):3500pF @ 15V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 基本零件編號:BSC072N03 標準包裝:1 BSC072N03LD G 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):11.5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.2 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):41nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3500pF @ 15V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15) 標準包裝:1 BSC072N025S G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 40A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):15A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.2 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2230pF @ 15V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:5,000 BSC070N10NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):38nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2700pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC070N10NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):90A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 75μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4000pF @ 50V 功率 - 最大值:114W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC082N10LSGATMA1 BSC084P03NS3 G BSC084P03NS3EGATMA1 BSC084P03NS3GATMA1 BSC085N025S G BSC0901NS BSC0901NSATMA1 BSC0901NSI BSC0901NSIATMA1 BSC0902NS BSC0902NSATMA1 BSC0902NSI BSC0902NSIATMA1 BSC0904NSI BSC0904NSIATMA1 BSC0906NSATMA1 BSC0908NSATMA1 BSC0909NSATMA1
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