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BSP135 L6327

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BSP135 L6327
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
SOT-223
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一級代理.原裝特價現貨！

BSP135 L6327
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：馬先生
電話：19166264056
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
24680
16+
1180
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原裝現貨價格當天確認

BSP135 L6327
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐
電話：1916620305713760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
1180
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SOT223
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授權代理直銷,原廠原裝現貨,假一罰十,特...

BSP135 L6327
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
10000
INFINEON
SOT-223
22+
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終端免費提供樣品可開13%增值稅發票

BSP135 L6327
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
638850
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SOT223
最新批次
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OEM渠道，價格超越代理！

BSP135 L6327
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯系人：李先生
電話：13760200702
地址：深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706
資質：營業執照
4000
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假一賠十！！
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絕對原裝現貨！

BSP135 L6327
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
4937
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SOT-223
2234+
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十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

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功能描述
MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 600V .02A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BSP135 L6327 技術參數

BSP135 E6906 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.9nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP135 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.9nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP130,115 功能描述:MOSFET N-CH 300V 350MA SC73 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:350mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:120pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 250mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1 BSP129L6906HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:240V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:350mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 350mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:108pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP129L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:240V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:350mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 350mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:108pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP149H6327XTSA1 BSP149H6906XTSA1 BSP149L6327HTSA1 BSP149L6906HTSA1 BSP16T1 BSP16T1G BSP170PE6327 BSP170PE6327T BSP170PH6327XTSA1 BSP170PL6327HTSA1 BSP171PE6327 BSP171PE6327T BSP171PH6327XTSA1 BSP171PL6327HTSA1 BSP179H6327XTSA1 BSP18-3K BSP19,115 BSP19AT1

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