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BSP52T1GOS

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    BSP52T1GOSCT

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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:史仙雁

    電話:19129911934(手機優先微信同號)0755-82813018

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 2100

  • ON

  • ROHS

  • 13+

  • -
  • 全新原裝現貨庫存!400-800-030...

  • BSP52T1GOSCT
    BSP52T1GOSCT

    BSP52T1GOSCT

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:何芝

    電話:19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 6550

  • ON

  • SOT-223

  • 201311+

  • -
  • 原裝正品,現貨庫存!400-800-03...

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BSP52T1GOS PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BSP52T1GOS 技術參數
  • BSP52T1G 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.3V @ 500μA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 BSP52T1 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.3V @ 500μA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:10 BSP52H6327XTSA1 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:上次購買時間 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.8V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP52,115 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.3V @ 500μA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:1.25W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 基本零件編號:BSP52 標準包裝:1 BSP52 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 0.8A SOT-223 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.3V @ 500μA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223-4 標準包裝:1 BSP613PH6327XTSA1 BSP613PL6327HUSA1 BSP615S2L BSP615S2LHUMA1 BSP61E6327HTSA1 BSP61H6327XTSA1 BSP62,115 BSP62E6327HTSA1 BSP62H6327XTSA1 BSP716NH6327XTSA1 BSP742R BSP742RI BSP742RIXUMA1 BSP742RXUMA1 BSP742T BSP742TXUMA1 BSP752R BSP752RXUMA2
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