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BSS126 L6906

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  • 封裝
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  • BSS126 L6906
    BSS126 L6906

    BSS126 L6906

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • Infineon

  • SOT23-3

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
BSS126 L6906 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 600V
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BSS126 L6906 技術參數
  • BSS126 H6906 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):21mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 16mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 8μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.1nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS126 H6327 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):21mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 16mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 8μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.1nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS126 E6906 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):21mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 16mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 8μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.1nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS126 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):21mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 16mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 8μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.1nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS-125-01-L-D-A-TR 功能描述:.635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL 制造商:samtec inc. 系列:BSS 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 連接器類型:插口,中央觸點帶 針腳數:250 間距:0.025"(0.64mm) 排數:2 安裝類型:表面貼裝 特性:板導軌 觸頭鍍層:金 觸頭鍍層厚度:10μin(0.25μm) 接合堆疊高度:5mm 板上高度:0.135"(3.43mm) 標準包裝:500 BSS127L6327HTSA1 BSS127S-7 BSS127SSN-7 BSS131 H6327 BSS131E6327 BSS131H6327XTSA1 BSS131L6327HTSA1 BSS138 BSS138_D87Z BSS138_F085 BSS138_L99Z BSS138-7 BSS138-7-F BSS138AKA/LF1R BSS138AKAR BSS138BK,215 BSS138BKS,115 BSS138BKVL
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