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BSS131E6327

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSS131E6327
深圳市藍山航業電子科技有限公司
深圳市藍山航業電子科技有限公司
聯系人：陳偉
電話：0755-83979745
地址：新亞洲二期N2A090
500000
sie
22+
-
行業低價，代理渠道

BSS131E6327
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

BSS131E6327
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
SIE
09+
-
假一罰十，百分百原裝正品，質量保障

BSS131E6327
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
9800
Infineon Technologies
PG-SOT23-3
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

BSS131E6327
深圳市硅宇電子有限公司
深圳市硅宇電子有限公司
聯系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區福虹路世界貿易廣場A座1503
資質：營業執照
680
infineo
SOT23
0016+
-
原裝現貨/特價

1/1頁 40條/頁共36條
1

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BSS131E6327 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
SIPMOS®
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
18A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

BSS131E6327 技術參數

BSS131 H6327 功能描述:MOSFET N-CH 240V 0.11A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:240V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:110mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 歐姆 @ 100mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 56μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:77pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS127SSN-7 功能描述:MOSFET N-CH 600V 50MA SC59 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:50mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:160 歐姆 @ 16mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.08nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:21.8pF @ 25V 功率 - 最大值:610mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SC-59 標準包裝:1 BSS127S-7 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:50mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:160 歐姆 @ 16mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.08nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:21.8pF @ 25V 功率 - 最大值:610mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 BSS127L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 16mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 8μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS127H6327XTSA2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 16mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 8μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS138AKAR BSS138BK,215 BSS138BKS,115 BSS138BKVL BSS138BKW,115 BSS138BKW-BX BSS138-D87Z BSS138DW-7 BSS138DW-7-F BSS138DWQ-13 BSS138DWQ-7 BSS138-F085 BSS138K BSS138L BSS138LT1 BSS138LT1G BSS138LT3 BSS138LT3G