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BSS138-7-F-G

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  • BSS138-7-F-GIGA
    BSS138-7-F-GIGA

    BSS138-7-F-GIGA

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室

    資質:營業執照

  • 6000

  • DIODES

  • SOT23

  • 22+

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  • 全新原裝現貨供應

  • BSS138-7-F-GIGA
    BSS138-7-F-GIGA

    BSS138-7-F-GIGA

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 10852

  • DIODES

  • SOT23

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  • 一級代理原裝正品現貨!

  • BSS138-7-F-GIGA
    BSS138-7-F-GIGA

    BSS138-7-F-GIGA

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 6000

  • DIODES

  • SOT23

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共18條 
  • 1
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BSS138-7-F-G 技術參數
  • BSS138-7-F 功能描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 220mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 BSS138-7 功能描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 220mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 BSS138_L99Z 功能描述:MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):220mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 220mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):27pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 BSS138_F085 功能描述:MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):220mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):27pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 220mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-23 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:3,000 BSS138_D87Z 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):220mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 220mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):27pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 BSS138DW-7-F BSS138DWQ-13 BSS138DWQ-7 BSS138-F085 BSS138K BSS138L BSS138LT1 BSS138LT1G BSS138LT3 BSS138LT3G BSS138N E6433 BSS138N E6908 BSS138N E7854 BSS138N E8004 BSS138N-E6327 BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6433XTMA1 BSS138NL6327HTSA1
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