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BSS138NL6433

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  • BSS138NL6433HTMA1
    BSS138NL6433HTMA1

    BSS138NL6433HTMA1

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：曹先生/高先生/周小姐

    電話(huà)：134878658521852080514813760272017

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 79714

  • Infineon Technologies

  • TO-236-3, SC-59, SOT

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠(chǎng)正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共9條 
  • 1
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BSS138NL6433 技術(shù)參數(shù)
  • BSS138NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:230mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 230mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:41pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS138NH6433XTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:230mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 230mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 26μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:41pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS138NH6327XTSA2 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:230mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 230mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 26μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:41pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS138N-E6327 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:230mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 230mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:41pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS138N E8004 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:230mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 230mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:41pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BSS138W E6433 BSS138W L6327 BSS138W L6433 BSS138W-7 BSS138W-7-F BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6433XTMA1 BSS138W-TP BSS139 E6327 BSS139 E6906 BSS139 H6327 BSS139H6327XTSA1 BSS139H6906XTSA1 BSS139L6327HTSA1 BSS139L6906HTSA1 BSS-150-01-C-D-A BSS-150-01-F-D BSS-150-01-F-D-A
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