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BSS70RTA(L7)

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  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人:賴(lài)先生

    電話(huà):0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 32800

  • ZETEX

  • SOT23

  • 2024+

  • -
  • 代理原裝現(xiàn)貨假一賠十

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  • 1
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BSS70RTA(L7) 技術(shù)參數(shù)
  • BSS670S2LL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):540mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):650 毫歐 @ 270mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 2.7μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):2.26nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):75pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS670S2LH6433XTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BSS670S2LH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):540mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 2.7μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.26nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):75pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):650 毫歐 @ 270mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS670S2L H6327 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):540mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):650 毫歐 @ 270mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 2.7μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):2.26nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):75pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS670S2L 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):540mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):650 毫歐 @ 270mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 2.7μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):2.26nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):75pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS816NW L6327 BSS816NWH6327XTSA1 BSS83,215 BSS83,235 BSS83P H6327 BSS83PE6327 BSS83PH6327XTSA1 BSS83PL6327HTSA1 BSS84 BSS84,215 BSS84_D87Z BSS8402DW-7 BSS8402DW-7-F BSS8402DWQ-7 BSS84-7 BSS84-7-F BSS84AK,215 BSS84AK-BR
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