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BSS7728NH6327XTSA2

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

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    電話:18724450645

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

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    地址:中國上海

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  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

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  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:洪寶宇

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    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
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    地址:深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
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  • 深圳市百潤電子有限公司
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    地址:沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A

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  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

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    地址:都會軒3607

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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL SMALL SIGNAL MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
BSS7728NH6327XTSA2 技術參數
  • BSS7728NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Not For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):56pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS7728N 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):56pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS670S2LL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):540mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):650 毫歐 @ 270mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 2.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.26nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):75pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS670S2LH6433XTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態:有效 標準包裝:10,000 BSS670S2LH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):540mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 2.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.26nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):75pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):650 毫歐 @ 270mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 BSS83,235 BSS83P H6327 BSS83PE6327 BSS83PH6327XTSA1 BSS83PL6327HTSA1 BSS84 BSS84,215 BSS84_D87Z BSS8402DW-7 BSS8402DW-7-F BSS8402DWQ-7 BSS84-7 BSS84-7-F BSS84AK,215 BSS84AK-BR BSS84AKM,315 BSS84AKMB,315 BSS84AKS,115
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