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BUK7E4R0-80E,127

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BUK7E4R0-80E,127
現貨
集好芯城
集好芯城
聯系人：陳先生13360533550
電話：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田區華富路航都大廈11F
資質：營業執照
21500
NXP/恩智浦
I2PAK
22+
-
原廠原裝現貨

BUK7E4R0-80E,127
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
90000
NXP Semiconductors
I2PAK
18+
-
MOSFET N-CH 80V 120A...

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您是不是要找： BUK7E4R3-75C,127 BUK7E4R6-60E,127 BUK7E5R2-100E,127 BUK7E8R3-40E,127 BUK7J1R4-40HX BUK7K12-60EX BUK7K134-100EX BUK7K13-60EX BUK7K15-80EX

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BUK7E4R0-80E,127 PDF下載

制造商
NXP Semiconductors
功能描述
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
BUK7E4R0-80E/I2PAK/RAILH// - Rail/Tube
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

BUK7E4R0-80E,127 技術參數

BUK7E3R5-60E,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:114nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:8920pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:293W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標準包裝:50 BUK7E3R1-40E,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:79nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6200pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:234W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.1 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標準包裝:50 BUK7E2R7-30B,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.7 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:91nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6212pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 BUK7E2R6-60E,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:158nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:11180pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:349W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標準包裝:50 BUK7E2R3-40E,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:109.2nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:8500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:293W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.3 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標準包裝:50 BUK7K17-60EX BUK7K17-80EX BUK7K18-40EX BUK7K23-80EX BUK7K25-40E,115 BUK7K29-100EX BUK7K32-100EX BUK7K35-60EX BUK7K45-100EX BUK7K52-60EX BUK7K5R1-30E,115 BUK7K5R6-30E,115 BUK7K6R2-40EX BUK7K6R8-40E,115 BUK7K89-100EX BUK7K8R7-40EX BUK7L06-34ARC,127 BUK7L11-34ARC,127