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BUK9832-55A,11

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  • BUK9832-55A,115
    BUK9832-55A,115

    BUK9832-55A,115

  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯系人:丁皓鵬

    電話:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331

    資質:營業(yè)執(zhí)照

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  • Philips Semiconducto

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  • BUK9832-55A,115
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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

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  • BUK9832-55A,115
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  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯系人:周小姐/曹先生/高先生

    電話:137602720171348786585218520805148

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

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  • BUK9832-55A,115
    BUK9832-55A,115

    BUK9832-55A,115

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

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BUK9832-55A,11 技術參數
  • BUK98180-100A/CUX 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.6A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):619pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):8W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):173 毫歐 @ 5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 標準包裝:1 BUK98180-100A,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT-223 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):173 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):619pF @ 25V 功率 - 最大值:8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 BUK98150-55A/CUF 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.5A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):5.3nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):320pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):8W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):137 毫歐 @ 5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 標準包裝:1 BUK98150-55A,135 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):137 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.3nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):320pF @ 25V 功率 - 最大值:8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 BUK98150-55/CUF 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.5A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):330pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):8.3W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 5A,5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 標準包裝:1 BUK9880-55A/CUX BUK9907-40ATC,127 BUK9907-55ATE,127 BUK9C07-65BIT,118 BUK9C1R3-40EJ BUK9C2R2-60EJ BUK9C3R8-80EJ BUK9C5R3-100EJ BUK9D23-40EX BUK9E04-30B,127 BUK9E04-40A,127 BUK9E06-55A,127 BUK9E06-55B,127 BUK9E08-55B,127 BUK9E15-60E,127 BUK9E1R6-30E,127 BUK9E1R8-40E,127 BUK9E1R9-40E,127
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