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BZX55B33-TAP

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  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BZX55B33-TAP
    BZX55B33-TAP

    BZX55B33-TAP

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 5000

  • VISHAY

  • NULL

  • NULL

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • BZX55B33-TAP
    BZX55B33-TAP

    BZX55B33-TAP

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 119720

  • VISHAY SE

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • BZX55B33-TAP
    BZX55B33-TAP

    BZX55B33-TAP

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:何芝

    電話:19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 4556

  • VISHAY

  • 1425

  • -
  • 原裝正品,現貨庫存!

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
BZX55B33-TAP PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 穩壓二極管 33 Volt 0.5W 2%
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齊納電壓
  • 12 V
  • 電壓容差
  • 5 %
  • 電壓溫度系數
  • 0.075 % / K
  • 齊納電流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄電流
  • 3 uA
  • 最大齊納阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-214AC
  • 封裝
  • Reel
BZX55B33-TAP 技術參數
  • BZX55B33 A0G 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):33V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 24V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55B30-TR 功能描述:Zener Diode 30V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):30V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 22V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B30-TAP 功能描述:Zener Diode 30V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):30V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 22V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B30 A0G 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):30V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 22V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55B2V7-TR 功能描述:Zener Diode 2.7V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):85 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B3V0-TR BZX55B3V3 A0G BZX55B3V3-TAP BZX55B3V3-TR BZX55B3V6 A0G BZX55B3V6-TAP BZX55B3V6-TR BZX55B3V9 A0G BZX55B3V9-TAP BZX55B3V9-TR BZX55B43 A0G BZX55B43-TAP BZX55B43-TR BZX55B47 A0G BZX55B47-TAP BZX55B47-TR BZX55B4V3 A0G BZX55B4V3-TAP
配單專家

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