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BZX55C7V5 DO35

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BZX55C7V5 DO35 技術參數
  • BZX55C7V5 A0G 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55C7V5 功能描述:Zener Diode 7.5V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:7.5V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 BZX55C75-TR 功能描述:Zener Diode 75V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:75V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:250 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 56V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55C75-TAP 功能描述:Zener Diode 75V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:75V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:250 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 56V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55C75 A0G 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:75V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:170 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 56V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55C8V2-TR BZX55C9V1 BZX55C9V1 A0G BZX55C9V1_T26A BZX55C9V1_T50A BZX55C9V1_T50R BZX55C9V1-TAP BZX55C9V1-TR BZX55F10-TAP BZX55F11-TR BZX55F12-TAP BZX55F12-TR BZX55F13-TAP BZX55F13-TR BZX55F15-TAP BZX55F15-TR BZX55F16-TR BZX55F18-TAP
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