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CMZ5342B

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說明
操作

CMZ5342B TR13
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
96000
Central
SMC
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

CMZ5342B TR13
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
Central
SMC
最新批號
-
代理此型號.原裝正品現貨！

CMZ5342B BK
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
18767
Central Semiconductor
SMC-2
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

CMZ5342BTR13
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
Centralsemi
SMC
06/07+
-
全新原裝100%正品保證質量

CMZ5342B TR13 PBFREE
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
9000
CENTRAL SEMICONDUCTOR
價格優勢
2428
-
全新原裝渠道現貨

1/1頁 40條/頁共14條
1

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制造商
CENTRAL
制造商全稱
Central Semiconductor Corp
功能描述
SURFACE MOUNT HIGH POWER SILICON ZENER DIODE 10 WATT, 6.8 THRU 200 VOLTS

CMZ5342B 技術參數

CMZ27(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:27V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 19V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）標準包裝:3,000 CMZ24(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:24V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 17V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）標準包裝:3,000 CMZ22(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:22V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 16V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）標準包裝:3,000 CMZ20(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:20V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 14V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）標準包裝:3,000 CMZ18(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 13V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）標準包裝:3,000 CMZ5921B BK CMZ5921B TR13 CMZ5922B BK CMZ5922B TR13 CMZ5923B BK CMZ5923B TR13 CMZ5924B BK CMZ5924B TR13 CMZ5925B BK CMZ5925B TR13 CMZ5927B BK CMZ5927B TR13 CMZ5928B BK CMZ5928B TR13 CMZ5929B BK CMZ5929B TR13 CMZ5930B BK CMZ5930B TR13

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