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IDT6116LA25D

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操作

IDT6116LA25DB
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
3000
IDT
DIP
22+
-
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制造商
IDT
制造商全稱
Integrated Device Technology
功能描述
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)

IDT6116LA25D 技術參數

IDT6116LA20TP 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 24DIP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116LA20SO8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 24SOIC RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116LA20SO 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 24SOIC RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT5V995PFGI8 功能描述:IC CLK DVR PLL 3.3V PROGR 44TQFP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 時鐘/計時 - 時鐘發生器，PLL，頻率合成器系列:TurboClock™ II 標準包裝:1,000 系列:- 類型:時鐘/頻率合成器，扇出分配 PLL:- 輸入:- 輸出:- 電路數:- 比率 - 輸入:輸出:- 差分 - 輸入:輸出:- 頻率 - 最大:- 除法器/乘法器:- 電源電壓:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:56-VFQFN 裸露焊盤供應商設備封裝:56-VFQFP-EP（8x8）包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:844S012AKI-01LFT IDT5V995PFGI 功能描述:IC CLK DVR PLL 3.3V PROGR 44TQFP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 時鐘/計時 - 時鐘發生器，PLL，頻率合成器系列:TurboClock™ II 標準包裝:27 系列:Precision Edge® 類型:頻率合成器 PLL:是輸入:PECL，晶體輸出:PECL 電路數:1 比率 - 輸入:輸出:1:1 差分 - 輸入:輸出:無/是頻率 - 最大:800MHz 除法器/乘法器:是/無電源電壓:3.135 V ~ 5.25 V 工作溫度:0°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）供應商設備封裝:28-SOIC 包裝:管件 IDT6116LA35TP IDT6116LA35TPG IDT6116LA35TPGI IDT6116LA45SO IDT6116LA45SO8 IDT6116LA45SOG IDT6116LA45SOG8 IDT6116LA45SOGI IDT6116LA45SOGI8 IDT6116LA45SOI IDT6116LA45SOI8 IDT6116LA45TP IDT6116LA45TPG IDT6116LA45TPGI IDT6116SA15SO IDT6116SA15SO8 IDT6116SA15TP IDT6116SA20SO