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IS43DR86400-25EBLI

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IS43DR86400-25EBLI 技術(shù)參數(shù)
  • IS43DR82560C-3DBLI 功能描述:IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 60BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:DDR2 SDRAM 存儲(chǔ)容量:2G（256M x 8） 速度:333MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:60-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:60-TWBGA（10.5x8） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IS43DR82560C-3DBL 功能描述:IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 60BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:DDR2 SDRAM 存儲(chǔ)容量:2G（256M x 8） 速度:333MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 85°C（TC） 封裝/外殼:60-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:60-TWBGA（10.5x8） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IS43DR82560C-25DBLI 功能描述:IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:DDR2 SDRAM 存儲(chǔ)容量:2G（256M x 8） 速度:400MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:60-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:60-TWBGA（10.5x8） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IS43DR82560C-25DBL 功能描述:IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:DDR2 SDRAM 存儲(chǔ)容量:2G（256M x 8） 速度:400MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 85°C（TC） 封裝/外殼:60-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:60-TWBGA（10.5x8） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IS43DR81280C-3DBLI 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 60BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:DDR2 SDRAM 存儲(chǔ)容量:1G（128M x 8） 速度:333MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:60-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:60-TWBGA（10.5x8） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IS43DR86400C-3DBL-TR IS43DR86400D-25DBLI IS43DR86400D-25DBLI-TR IS43DR86400D-3DBI IS43DR86400D-3DBI-TR IS43DR86400D-3DBLI IS43DR86400D-3DBLI-TR IS43DR86400E-25DBL IS43DR86400E-25DBLI IS43DR86400E-25DBLI-TR IS43DR86400E-3DBL IS43DR86400E-3DBLI IS43DR86400E-3DBLI-TR IS43LD16128B-18BL IS43LD16128B-18BLI IS43LD16128B-18BLI-TR IS43LD16128B-18BL-TR IS43LD16128B-25BL
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