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M58CR032D100ZB6T

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價格
說明
操作

M58CR032D100ZB6T
深圳市硅宇電子有限公司
深圳市硅宇電子有限公司
聯系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區福虹路世界貿易廣場A座1503
資質：營業執照
15000
ST
BGA
06+
-
原裝現貨/特價

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功能描述
閃存 32M (2Mx16) 100ns
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
數據總線寬度
1 bit
存儲類型
Flash
存儲容量
2 MB
結構
256 K x 8
定時類型
接口類型
SPI
訪問時間
電源電壓-最大
3.6 V
電源電壓-最小
2.3 V
最大工作電流
15 mA
工作溫度
- 40 C to + 85 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
封裝
Reel

M58CR032D100ZB6T 技術參數

M58BW32FB5ZA3T TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 32MBIT 55NS LBGA M58BW32FB5ZA3F 功能描述:IC FLASH 32MBIT 55NS 80LBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ M58BW32FB5T3T 功能描述:IC FLASH 32MBIT 55NS 80PQFP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ M58BW32FB5T3F TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 32MBIT 55NS 80QFP M58BW32FB4ZA3T 功能描述:IC FLASH 32MBIT 45NS 80LBGA RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ M58LR128KT85ZB6E M58LR128KT85ZB6F TR M58LR256KB70ZC5E M58LR256KB70ZC5F TR M58LR256KB70ZC5W TR M58LR256KB70ZC5Z M58LR256KB70ZQ5E M58LR256KB70ZQ5F TR M58LR256KB70ZQ5W TR M58LR256KB70ZQ5Z M58LR256KT70ZC5E M58LR256KT70ZC5F TR M58LR256KT70ZQ5E M58LR256KT70ZQ5F TR M58LT128HSB8ZA6E M58LT128HSB8ZA6F M58LT128HSB8ZA6F TR M58LT128HST8ZA6E