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MBR12035R

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MBR12035R PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • TRSYS
  • 制造商全稱
  • Transys Electronics
  • 功能描述
  • SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 120A
MBR12035R 技術參數
  • MBR12035CT 功能描述:DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):35V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):120A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):650mV @ 120A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:雙塔架 供應商器件封裝:雙塔架 標準包裝:25 MBR12035 CTR 功能描述:DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管配置:1 對共陽極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):35V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):120A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):650mV @ 120A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:雙塔架 供應商器件封裝:雙塔架 標準包裝:5 MBR12030CTR 功能描述:DIODE MODULE 30V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管配置:1 對共陽極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):120A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):650mV @ 60A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:雙塔架 供應商器件封裝:雙塔架 標準包裝:25 MBR12030CT 功能描述:DIODE MODULE 30V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):120A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):650mV @ 60A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:雙塔架 供應商器件封裝:雙塔架 標準包裝:25 MBR12020CTR 功能描述:DIODE MODULE 20V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管配置:1 對共陽極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):20V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):120A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):650mV @ 120A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:雙塔架 供應商器件封裝:雙塔架 標準包裝:25 MBR120ESFT1G MBR120ESFT3 MBR120ESFT3G MBR120HWTR MBR120LSFT1 MBR120LSFT1G MBR120LSFT3 MBR120LSFT3G MBR120VLSFT1 MBR120VLSFT1G MBR120VLSFT3 MBR120VLSFT3G MBR12100LPS-TP MBR1240MFST1G MBR1240MFST3G MBR12U100L-TP MBR130HWTR MBR130LSFT1
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