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MBR120ESFT1G-CUT TAPE

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  • ON
  • 功能描述
  • MBR Series 1 A 20 V Surface Mount Schottky Power Rectifier - SOD-123FL
MBR120ESFT1G-CUT TAPE 技術參數
  • MBR12060CTR 功能描述:DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:120A（DC） 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 60A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:雙塔架 供應商器件封裝:雙塔架 標準包裝:25 MBR12060CT 功能描述:DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管配置:1 對共陽極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:120A（DC） 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 60A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:雙塔架 供應商器件封裝:雙塔架 標準包裝:25 MBR12045CTR 功能描述:DIODE MODULE 45V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管配置:1 對共陽極 二極管類型:肖特基，反極性 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:120A（DC） 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:650mV @ 60A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:雙塔架 供應商器件封裝:雙塔架 標準包裝:25 MBR12045CT 功能描述:DIODE MODULE 45V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:120A（DC） 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:650mV @ 60A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:雙塔架 供應商器件封裝:雙塔架 標準包裝:25 MBR12040CTR 功能描述:DIODE MODULE 40V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管配置:1 對共陽極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:120A（DC） 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:650mV @ 120A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:雙塔架 供應商器件封裝:雙塔架 標準包裝:25 MBR120VLSFT3 MBR120VLSFT3G MBR12100LPS-TP MBR1240MFST1G MBR1240MFST3G MBR12U100L-TP MBR130HWTR MBR130LSFT1 MBR130LSFT1G MBR130T1 MBR130T1G MBR130T3 MBR130T3G MBR140ESFT1G MBR140ESFT3G MBR140HWTR MBR140SFT1 MBR140SFT1G
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