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MLZ2012DR47DT

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

MLZ2012DR47DT000
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
0
TDK
con
24+
-
電感器

MLZ2012DR47DT000
廣東濟德精密電子有限公司
廣東濟德精密電子有限公司
聯系人：吳
電話：18724450645
地址：東莞市大朗鎮松木山村德利路1號2棟2樓
50000
TDK
NA
2340
-
現貨！就到京北通宇商城

MLZ2012DR47DTD25
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
3000
TDK/東電化
con
23+
-
現貨常備，京北通宇查價https://w...

MLZ2012DR47DT000
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
0
TDK
con
24+
-
電感器

MLZ2012DR47DTD25
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
6000
TDK Corporation
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

MLZ2012DR47DT000
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
6000
TDK CORPORATION
價格優勢
2448
-
全新原裝渠道現貨

1/1頁 40條/頁共10條
1

您是不是要找： MLZ2012DR47DTD25 MLZ2012DR47MT000 MLZ2012E100M MLZ2012E4R7M MLZ2012M100HT000 MLZ2012M100HTD25 MLZ2012M100WT000 MLZ2012M100WTD25 MLZ2012M150WT000

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MLZ2012DR47DT PDF下載

制造商
TDK
功能描述
INDUCTOR SHIELDED 0.47UH 20
制造商
TDK
功能描述
INDUCTOR, SHIELDED, 0.47UH, 20%
制造商
TDK
功能描述
INDUCTOR, SHIELDED, 0.47UH, 20% ;ROHS COMPLIANT

MLZ2012DR47DT 技術參數

MLZ2012DR10DT000 功能描述:100nH Shielded Multilayer Inductor 1.15A 91 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:多層材料 - 磁芯:鐵氧體電感:100nH 容差:±20% 額定電流:1.15A 電流 - 飽和值:1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:91 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:500MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm）標準包裝:1 MLZ2012A3R3WTD25 功能描述:3.3μH Shielded Multilayer Inductor 450mA 442 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:多層材料 - 磁芯:鐵氧體電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:450mA 電流 - 飽和值:200mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:442 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:10MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm）標準包裝:1 MLZ2012A3R3WT000 功能描述:3.3μH Shielded Multilayer Inductor 450mA 442 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:多層材料 - 磁芯:鐵氧體電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:450mA 電流 - 飽和值:200mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:442 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:90MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:10MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm）標準包裝:1 MLZ2012A2R2WTD25 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 650mA 195 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:多層材料 - 磁芯:鐵氧體電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:650mA 電流 - 飽和值:210mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:195 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:10MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm）標準包裝:1 MLZ2012A2R2WT000 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 650mA 195 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:多層材料 - 磁芯:鐵氧體電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:650mA 電流 - 飽和值:210mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:195 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:120MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:10MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm）標準包裝:1 MLZ2012M150WTD25 MLZ2012M1R0HT000 MLZ2012M1R0HTD25 MLZ2012M1R5HT MLZ2012M1R5HT000 MLZ2012M1R5HTD25 MLZ2012M220WT000 MLZ2012M220WTD25 MLZ2012M2R2HT000 MLZ2012M2R2HTD25 MLZ2012M330WT000 MLZ2012M330WTD25 MLZ2012M3R3HT MLZ2012M3R3HT000 MLZ2012M3R3HTD25 MLZ2012M470WT000 MLZ2012M470WTD25 MLZ2012M4R7HT000