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MLZ2012E100MT000

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  • MLZ2012E100MT000
    MLZ2012E100MT000

    MLZ2012E100MT000

  • 廣東濟德精密電子有限公司
    廣東濟德精密電子有限公司

    聯(lián)系人：吳

    電話：18724450645

    地址：東莞市大朗鎮(zhèn)松木山村德利路1號2棟2樓

  • 100

  • TDK

  • NA

  • 25+

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  • MLZ2012E100MT000
    MLZ2012E100MT000

    MLZ2012E100MT000

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • TDK

  • O805

  • 最新批號

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  • MLZ2012E100MT000
    MLZ2012E100MT000

    MLZ2012E100MT000

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • 原廠

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • MLZ2012E100MT000
    MLZ2012E100MT000

    MLZ2012E100MT000

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 106000

  • TDK CORPORATION

  • 價格優(yōu)勢

  • 2322

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MLZ2012E100MT000 技術(shù)參數(shù)
  • MLZ2012E100M 功能描述:10μH Shielded Multilayer Inductor 60mA 400 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:60mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:400 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.057"（1.45mm） 標準包裝:1 MLZ2012DR47DTD25 功能描述:470nH Shielded Multilayer Inductor 700mA 234 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:470nH 容差:±20% 額定電流:700mA 電流 - 飽和值:550mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:234 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.057"（1.45mm） 標準包裝:1 MLZ2012DR10DT000 功能描述:100nH Shielded Multilayer Inductor 1.15A 91 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:100nH 容差:±20% 額定電流:1.15A 電流 - 飽和值:1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:91 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:500MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標準包裝:1 MLZ2012A3R3WTD25 功能描述:3.3μH Shielded Multilayer Inductor 450mA 442 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:450mA 電流 - 飽和值:200mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:442 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:10MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標準包裝:1 MLZ2012A3R3WT000 功能描述:3.3μH Shielded Multilayer Inductor 450mA 442 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:450mA 電流 - 飽和值:200mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:442 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:90MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:10MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標準包裝:1 MLZ2012M1R5HT MLZ2012M1R5HT000 MLZ2012M1R5HTD25 MLZ2012M220WT000 MLZ2012M220WTD25 MLZ2012M2R2HT000 MLZ2012M2R2HTD25 MLZ2012M330WT000 MLZ2012M330WTD25 MLZ2012M3R3HT MLZ2012M3R3HT000 MLZ2012M3R3HTD25 MLZ2012M470WT000 MLZ2012M470WTD25 MLZ2012M4R7HT000 MLZ2012M4R7HTD25 MLZ2012M4R7WT000 MLZ2012M4R7WTD25
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