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PBLS2021D,115-CUT TAPE

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PBLS2021D,115-CUT TAPE 技術參數

PBLS2021D,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應晶體管類型:1 NPN 預偏壓式，1 PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA，1.8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V，20V 電阻器 - 基底（R1）:2.2 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:2.2 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，5V / 200 @ 1A，2V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA，100nA 頻率 - 躍遷:130MHz 功率 - 最大值:760mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 PBLS2004D,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:1 NPN 預偏壓式，1 PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA，1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V，20V 電阻器 - 基底（R1）:22 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:22 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，5V / 220 @ 500mA，2V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 280mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA，100nA 頻率 - 躍遷:185MHz 功率 - 最大值:600mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 基本零件編號:PBLS2004 標準包裝:1 PBLS2003S,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:1 NPN 預偏壓式，1 PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA，3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V，20V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V / 150 @ 2A，2V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 355mV @ 300mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA，100nA 頻率 - 躍遷:100MHz 功率 - 最大值:1.5W 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 PBLS2003D,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:1 NPN 預偏壓式，1 PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA，1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V，20V 電阻器 - 基底（R1）:10 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:10 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V / 220 @ 500mA，2V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 280mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA，100nA 頻率 - 躍遷:185MHz 功率 - 最大值:600mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 基本零件編號:PBLS2003 標準包裝:1 PBLS2002S,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:1 NPN 預偏壓式，1 PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA，3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V，20V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:4.7k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V / 150 @ 2A，2V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 355mV @ 300mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA，100nA 頻率 - 躍遷:100MHz 功率 - 最大值:1.5W 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 PBLS4003D,115 PBLS4003V,115 PBLS4003Y,115 PBLS4004D,115 PBLS4004V,115 PBLS4004Y,115 PBLS4005D,115 PBLS4005V,115 PBLS4005Y,115 PBLS6001D,115 PBLS6002D,115 PBLS6003D,115 PBLS6004D,115 PBLS6005D,115 PBLS6021D,115 PBLS6022D,115 PBLS6023D,115 PBLS6024D,115