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PEMH2315

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PEMH2315
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3955
PULSE
ROHS
201215
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原裝正品，現(xiàn)貨庫存！400-800-03...

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PEMH2315 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PEMH2315 技術(shù)參數(shù)

PEMH20,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:2.2 千歐電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:2.2 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-666 基本零件編號:* 標準包裝:1 PEMH15,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:4.7 千歐電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:4.7 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PEMH13,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:4.7 千歐電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:47 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PEMH11,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:10 千歐電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:10 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PEMH10,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:2.2 千歐電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:47 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PEMI1QFN/CK,315 PEMI1QFN/CM,315 PEMI1QFN/CP,315 PEMI1QFN/CR,315 PEMI1QFN/CT,315 PEMI1QFN/HE,315 PEMI1QFN/HG,315 PEMI1QFN/HK,315 PEMI1QFN/HM,315 PEMI1QFN/HP,315 PEMI1QFN/HR,315 PEMI1QFN/HT,315 PEMI1QFN/LE,315 PEMI1QFN/LG,315 PEMI1QFN/LK,315 PEMI1QFN/LM,315 PEMI1QFN/LP,315 PEMI1QFN/LR,315