欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置:買賣IC網 > P字母型號搜索 > P字母第1070頁 >

PEMI1QFN/CE,315

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • PEMI1QFN/CE,315
    PEMI1QFN/CE,315

    PEMI1QFN/CE,315

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • NXP Semiconductors

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,原裝正品

  • PEMI1QFN/CE,315
    PEMI1QFN/CE,315

    PEMI1QFN/CE,315

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • SC-101,SOT-883

  • 18+

  • -
  • RC (Pi) EMI Filter 2...

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
PEMI1QFN/CE,315 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 信號調節 1,2,4,6,8 CH PASSIVE FILTER NETWORK W/ESD
  • RoHS
  • 制造商
  • EPCOS
  • 產品
  • Duplexers
  • 頻率
  • 782 MHz, 751 MHz
  • 頻率范圍
  • 電壓額定值
  • 帶寬
  • 阻抗
  • 50 Ohms
  • 端接類型
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • 2.5 mm x 2 mm
  • 工作溫度范圍
  • - 30 C to + 85 C
  • 封裝
  • Reel
PEMI1QFN/CE,315 技術參數
  • PEMH9,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):10 千歐 電阻器 - 發射極基底(R2):47 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PEMH20,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):2.2 千歐 電阻器 - 發射極基底(R2):2.2 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 20mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 基本零件編號:* 標準包裝:1 PEMH15,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):4.7 千歐 電阻器 - 發射極基底(R2):4.7 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PEMH13,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):4.7 千歐 電阻器 - 發射極基底(R2):47 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PEMH11,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):10 千歐 電阻器 - 發射極基底(R2):10 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PEMI1QFN/HM,315 PEMI1QFN/HP,315 PEMI1QFN/HR,315 PEMI1QFN/HT,315 PEMI1QFN/LE,315 PEMI1QFN/LG,315 PEMI1QFN/LK,315 PEMI1QFN/LM,315 PEMI1QFN/LP,315 PEMI1QFN/LR,315 PEMI1QFN/LT,315 PEMI1QFN/RE,315 PEMI1QFN/RG,315 PEMI1QFN/RK,315 PEMI1QFN/RM,315 PEMI1QFN/RP,315 PEMI1QFN/RR,315 PEMI1QFN/RT,315
配單專家

在采購PEMI1QFN/CE,315進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規避購買PEMI1QFN/CE,315產品風險,建議您在購買PEMI1QFN/CE,315相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的PEMI1QFN/CE,315信息由會員自行提供,PEMI1QFN/CE,315內容的真實性、準確性和合法性由發布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (www.cjreal.com) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號
主站蜘蛛池模板: 新竹县| 汾阳市| 南雄市| 扶风县| 兖州市| 鹰潭市| 南召县| 芮城县| 宝山区| 收藏| 保定市| 孙吴县| 安图县| 赞皇县| 玛纳斯县| 靖西县| 黄骅市| 莱州市| 泾源县| 丹东市| 资溪县| 大化| 连南| 岱山县| 辽宁省| 习水县| 祁阳县| 霍邱县| 壶关县| 聂拉木县| 井冈山市| 海安县| 新宾| 财经| 明光市| 宁国市| 阳谷县| 文山县| 教育| 哈巴河县| 宽甸|