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PH3134-9L

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

PH3134-9L
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生
電話：13487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
45467
MACOM Technology Solution
-
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

PH3134-9L
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生
電話：1376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
83059
MACOM
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

PH3134-9L
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
NULL
NULL
09/10+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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您是不是要找： PH3135-20M PH3135-5S PH3135-65M PH315 PH3-150-150-0.21-1A PH-31-A PH-31-B PH-31-G PH-31-R

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PH3134-9L PDF下載

功能描述
射頻雙極電源晶體管
RoHS
否
制造商
M/A-COM Technology Solutions
配置
Single
直流集電極/Base Gain hfe Min
40
最大工作頻率
30 MHz
集電極—發射極最大電壓 VCEO
25 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
4 V
集電極連續電流
20 A
最大直流電集電極電流
功率耗散
250 W
封裝 / 箱體
Case 211-11
封裝
Tray

PH3134-9L 技術參數

PH3134-75S 功能描述:TRANSISTOR 75W 1US 10% 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:65V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:7.5dB 功率 - 最大值:75W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8.9A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:6 PH3134-55L 功能描述:TRANSISTOR BIPOLAR 3.10-3.40GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:65V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:7.5dB 功率 - 最大值:55W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6.5A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:6 PH3134-30S 功能描述:TRANSISTOR 30W 3.10-3.40GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:65V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:7.5dB 功率 - 最大值:30W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3.6A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:6 PH3134-11S 功能描述:TRANSISTOR 11W 36V 3.10-3.40GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:8dB 功率 - 最大值:11W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.3A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:6 PH3120L,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:最後搶購 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:48.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4457pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.65 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PH-31-W PH-31-Y PH3-222-165-0.21-1A PH3230S,115 PH3-300-300-0.21-1A PH3330L,115 PH3343L PH3343P PH3344K PH3344O PH3355 PH3430AL,115 PH35 PH3-50.8-12.7-0.21-1A PH362 PH3-76.2-12.7-0.21-1A PH3-76.2-19.1-0.21-1A PH3-76.2-25.4-0.21-1A