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PHD2N50E

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型號
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說明
操作

PHD2N50E
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
10423
PHILIPS
SOT252
2024+
-
代理商庫房現貨

PHD2N50E
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
DPAK/TO-252
25+
-
國產品牌，替代進口

PHD2N50E
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
PHILIPS
TO-252
08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

PHD2N50E
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
20
NXP
TO-252
2013+
-
全新原裝現貨

PHD2N50E
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
2500
NXP
SOT428
13+
-
全新原裝，現貨，價優！

PHD2N50E
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
20000
PHILIPS
TO-252
08+
-
絕對公司原裝現貨

PHD2N50E
深圳市澤芯微科技有限公司
深圳市澤芯微科技有限公司
聯系人：柯小姐
電話：0755-8273028382732023
地址：中航路新亞洲國利大廈A座24層12室
4
nxp
to-252
2013+
-
進口原裝現貨，一定自己庫存

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制造商
PHILIPS
制造商全稱
NXP Semiconductors
功能描述
PowerMOS transistors Avalanche energy rated

PHD2N50E 技術參數

PHD13005,127 功能描述:TRANS NPN 400V 4A TO220AB 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 1A，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 2A，5V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000 PHD13003C,412 功能描述:TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 500mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:5 @ 1A，2V 功率 - 最大值:2.1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:10,000 PHC2300,118 功能描述:MOSFET N/P-CH 300V 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:340mA，235mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:102pF @ 50V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 PHC21025,118 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.5A，2.3A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 2.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:250pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 PHB66NQ03LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:66A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:860pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:93W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PHD38999/26WB4SN PHD38999/26WC8SN PHD38999/26WF30SN PHD3899920FF30PN PHD3899920FH48PN PHD3899924WC8PN PHD3899926FB4PN PHD3899926WC8PA PHD3899926WC8PN PHD38N02LT,118 PHD45N03LTA,118 PHD45NQ15T,118 PHD55N03LTA,118 PHD63NQ03LT,118 PHD66NQ03LT,118 PHD71NQ03LT,118 PHD77NQ03T,118 PHD78NQ03LT,118

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