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PMV28UN215

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PMV28UN215 技術(shù)參數(shù)
  • PMV28UN,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:32 毫歐 @ 3.3A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 270μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:470pF @ 10V 功率 - 最大值:380mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV27UPER 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.5A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:22.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1820pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:490mW（Ta）, 4.15W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:32 毫歐 @ 4.5A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV27UPEAR 功能描述:MOSFET P-CH 20V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.5A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:22.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1820pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:490mW（Ta）, 4.15W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:32 毫歐 @ 4.5A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV25ENEAR 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.5A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:18nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:597pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:460mW（Ta）, 6.94W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 5.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV250EPEAR 功能描述:MOSFET P-CH 40V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.5A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:450pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）, 6.25W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:240 毫歐 @ 1.3A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV31XN,215 PMV32UP,215 PMV33UPE,215 PMV35EPER PMV37EN,215 PMV37EN2R PMV40UN,215 PMV40UN2R PMV4248GY PMV42ENER PMV450ENEAR PMV45EN,215 PMV45EN2R PMV45EN2VL PMV48XP,215 PMV48XP/MIR PMV48XPAR PMV48XPVL
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