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PMV62XN,215

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  • 型號
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  • 封裝
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  • 價格
  • 說明
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  • PMV62XN,215
    PMV62XN,215

    PMV62XN,215

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人：曹先生/高先生/周小姐

    電話：134878658521852080514813760272017

    地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 86800

  • NXP USA Inc.

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • PMV62XN,215
    PMV62XN,215

    PMV62XN,215

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質：營業執照

  • 5000

  • NXP Semiconductors

  • 標準封裝

  • 16+

  • -

  • 百分百原裝正品，假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
PMV62XN,215 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH SOT-23
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 未定義的類別 >> 其它
  • 系列
  • *
  • 標準包裝
  • 1
  • 系列
  • *
  • 其它名稱
  • MS305720A
PMV62XN,215 技術參數
  • PMV60EN,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.7A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:350pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標準包裝:1 PMV56XN,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.76A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.76A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:85 毫歐 @ 3.6A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:650mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:230pF @ 10V 功率 - 最大值:1.92W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 標準包裝:1 PMV55ENEAR 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.1A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:19nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:646pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:478mW（Ta）, 8.36W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 3.1A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV50XPR 功能描述:MOSFET P-CH 20V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.6A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:744pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:490mW（Ta）, 4.63W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 3.6A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV50UPE,215 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.2A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:15.7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:24pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:66 毫歐 @ 3.2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV65ENEAR PMV6-5FB-2K PMV6-5F-L PMV6-5RB-2K PMV6-5R-L PMV6-5R-X PMV65UN,215 PMV65UNEAR PMV65UNER PMV65XP,215 PMV65XP/MIR PMV65XPEAR PMV65XPER PMV65XPVL PMV6-6FB-2K PMV6-6F-L PMV6-6RB-2K PMV6-6R-L
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