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PMV65XP.

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

PMV65XP.215
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
NXP/恩智浦
SOT23-3
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

PMV65XP.215
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
JAT
SOT-23
06+/07+
-
假一罰十，百分百原裝正品

PMV65XP.215
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
10560
NXP
SMD
1310+
-
全新原裝現貨

PMV65XP.215
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
NXP恩智浦/PHILIPS飛利浦
SOT-23
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！！！

PMV65XP.215
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
7866
NXP
SOT23
10+
-
絕對公司原裝現貨

PMV65XP.215
深圳市澤芯微科技有限公司
深圳市澤芯微科技有限公司
聯系人：柯小姐
電話：0755-8273028382732023
地址：中航路新亞洲國利大廈A座24層12室
616
nxp
smd
12+
-
進口原裝現貨，一定自己庫存

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PMV65XP. PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PMV65XP. 技術參數

PMV65XP,215 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.8A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:744pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:74 毫歐 @ 2.8A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV65UNER 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.8A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6nC @ 10V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:291pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:490mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:73 毫歐 @ 2.8A, 4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV65UN,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:76 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:183pF @ 10V 功率 - 最大值:310mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:1 PMV65ENEAR 功能描述:MOSFET N-CH 20V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.7A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:160pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:490mW（Ta）, 6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 2.7A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV60EN,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:350pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:1 PMV6-8RB-2K PMV6-8R-L PMV6-8R-X PMV6-P10-L PMV75UP,215 PMV90EN,215 PMV90ENER PMWD15UN,518 PMWD16UN,518 PMWD19UN,518 PMWD20XN,118 PMWD26UN,518 PMWD30UN,518 PMXB120EPE PMXB120EPEZ PMXB350UPE PMXB350UPEZ PMXB360ENEA