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PMWD19UN.

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N TSSOP-8
PMWD19UN. 技術參數
  • PMWD19UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5.6A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):23 毫歐 @ 3.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):28nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1478pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) 供應商器件封裝:8-TSSOP 標準包裝:1 PMWD16UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9.9A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 3.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):23.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1366pF @ 16V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) 供應商器件封裝:8-TSSOP 標準包裝:1 PMWD15UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):11.6A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):18.5 毫歐 @ 5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):22.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1450pF @ 16V 功率 - 最大值:4.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) 供應商器件封裝:8-TSSOP 標準包裝:1 PMV90ENER 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):5.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):160pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):460mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):72 毫歐 @ 3A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 PMV90EN,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):84 毫歐 @ 1.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):132pF @ 15V 功率 - 最大值:310mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 標準包裝:1 PMXB40UNE PMXB40UNEZ PMXB43UNE PMXB43UNEZ PMXB56EN PMXB56ENZ PMXB65ENE PMXB65ENEZ PMXB65UPEZ PMXB75UPEZ PM-Y44 PM-Y44-C3 PM-Y44P PM-Y44P-C3 PM-Y45 PM-Y45-C3 PM-Y45-P PM-Y45-P-C3
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