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PMX-00F

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    PMX-00F

  • 深圳市時(shí)興宇電子有限公司
    深圳市時(shí)興宇電子有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會(huì)大廈A座19樓19G

  • 7866

  • QFP

  • 10+

  • -

  • 絕對(duì)公司原裝現(xiàn)貨

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    PMX-00F

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  • 甄芯網(wǎng)
    甄芯網(wǎng)

    聯(lián)系人：柯先生/趙小姐

    電話：0755-83665813

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907 門(mén)市部：中航路都會(huì)電子3C002B

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 200

  • FIC

  • QFP

  • 09+

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  • 現(xiàn)貨庫(kù)存

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  • 1
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PMX-00F 技術(shù)參數(shù)
  • PMWD30UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 3.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:28nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1478pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMWD26UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7.8A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 3.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1366pF @ 16V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMWD20XN,118 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10.4A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 4.2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:740pF @ 16V 功率 - 最大值:4.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMWD19UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.6A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 3.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:28nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1478pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMWD16UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9.9A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 3.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1366pF @ 16V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMXB43UNEZ PMXB56EN PMXB56ENZ PMXB65ENE PMXB65ENEZ PMXB65UPEZ PMXB75UPEZ PM-Y44 PM-Y44-C3 PM-Y44P PM-Y44P-C3 PM-Y45 PM-Y45-C3 PM-Y45-P PM-Y45-P-C3 PM-Y54 PM-Y54P PM-Y64
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