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PMX-068(98F)

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    PMX-068(98F)

    PMX-068(98F)

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業執照

  • 2400

  • IQC

  • Standard

  • 2024+

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  • 正宗原裝現貨

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PMX-068(98F) 技術參數
  • PMWD30UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):33 毫歐 @ 3.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):28nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1478pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) 供應商器件封裝:8-TSSOP 標準包裝:1 PMWD26UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7.8A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):30 毫歐 @ 3.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):23.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1366pF @ 16V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) 供應商器件封裝:8-TSSOP 標準包裝:1 PMWD20XN,118 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10.4A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):22 毫歐 @ 4.2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):740pF @ 16V 功率 - 最大值:4.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) 供應商器件封裝:8-TSSOP 標準包裝:1 PMWD19UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5.6A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):23 毫歐 @ 3.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):28nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1478pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) 供應商器件封裝:8-TSSOP 標準包裝:1 PMWD16UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9.9A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 3.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):23.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1366pF @ 16V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) 供應商器件封裝:8-TSSOP 標準包裝:1 PMXB43UNEZ PMXB56EN PMXB56ENZ PMXB65ENE PMXB65ENEZ PMXB65UPEZ PMXB75UPEZ PM-Y44 PM-Y44-C3 PM-Y44P PM-Y44P-C3 PM-Y45 PM-Y45-C3 PM-Y45-P PM-Y45-P-C3 PM-Y54 PM-Y54P PM-Y64
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