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PMZ290UNEYL

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • PMZ290UNEYL
    PMZ290UNEYL

    PMZ290UNEYL

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 100000

  • NXP SEMIC

  • 帶卷(TR)

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • PMZ290UNEYL
    PMZ290UNEYL

    PMZ290UNEYL

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人:吳經理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT883

  • 2021+

  • -
  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • PMZ290UNEYL
    PMZ290UNEYL

    PMZ290UNEYL

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • Nexperia

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • PMZ290UNEYL
    PMZ290UNEYL

    PMZ290UNEYL

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質:營業執照

  • 200000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT883

  • -
  • 授權代理/原廠FAE技術支持

  • PMZ290UNEYL
    PMZ290UNEYL

    PMZ290UNEYL

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • DFN1006-3

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 20V 1A X...

  • PMZ290UNEYL
    PMZ290UNEYL

    PMZ290UNEYL

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • PMZ290UNEYL
    PMZ290UNEYL

    PMZ290UNEYL

  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯系人:丁皓鵬

    電話:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331

    資質:營業執照

  • 10000

  • PHA

  • SOT883

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,價格優勢!

  • PMZ290UNEYL
    PMZ290UNEYL

    PMZ290UNEYL

  • 科創特電子(香港)有限公司
    科創特電子(香港)有限公司

    聯系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 10000

  • NEXPERIA

  • 主營優勢

  • 1724

  • -
  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 20V 1A XQFN3
  • 制造商
  • nexperia usa inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 20V
  • 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
  • 1A(Ta)
  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 1.8V,4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 950mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 0.68nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值)
  • ±8V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 83pF @ 10V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 360mW(Ta),2.7W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 380 毫歐 @ 500mA,4.5V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應商器件封裝
  • DFN1006-3
  • 封裝/外殼
  • SC-101,SOT-883
  • 標準包裝
  • 1
PMZ290UNEYL 技術參數
  • PMZ290UNE2YL 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.2A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1.4nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):46pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):350mW(Ta),5.43W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):320 毫歐 @ 1.2A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 標準包裝:1 PMZ270XN,315 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.15A SOT883 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.15A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):340 毫歐 @ 200mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):34pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應商器件封裝:DFN1006-3 標準包裝:1 PMZ250UN,315 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.28A SOT883 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.28A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):300 毫歐 @ 200mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):45pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應商器件封裝:DFN1006-3 標準包裝:1 PMZ200UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.4A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):89pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):350mW(Ta), 6.25W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):250 毫歐 @ 1.4A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 標準包裝:1 PMZ130UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.8A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):93pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):350mW(Ta), 6.25W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 1.8A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 標準包裝:1 PMZ600UNELYL PMZ600UNEYL PMZ760SN,315 PMZ950UPELYL PMZ950UPEYL PMZB1200UPEYL PMZB150UNEYL PMZB200UNEYL PMZB290UN,315 PMZB290UNE,315 PMZB290UNE2YL PMZB300XN,315 PMZB320UPEYL PMZB350UPE,315 PMZB370UNE,315 PMZB380XN,315 PMZB390UNEYL PMZB420UN,315
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