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PSMN040-200W.1

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PSMN040-200W.1 技術參數
  • PSMN040-100MSEX 功能描述:MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):30A(Tj) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1470pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):91W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):36.6 毫歐 @ 10A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引線) 標準包裝:1 PSMN039-100YS,115 功能描述:MOSFET N-CH LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):28.1A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1847pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):74W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):39.5 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 PSMN038-100YLX 功能描述:MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):30A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):39.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1905pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):94.9W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):37.5 毫歐 @ 5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 基本零件編號:* 標準包裝:1 PSMN035-150P,127 功能描述:MOSFET N-CH 150V 50A SOT78 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):150V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):50A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):79nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4720pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):250W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMN035-150B,118 功能描述:MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):150V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):50A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):79nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4720pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):250W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 PSMN070-200B,118 PSMN070-200P,127 PSMN075-100MSEX PSMN085-150K,518 PSMN0R7-25YLDX PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-30ULDX PSMN0R9-30YLDX PSMN102-200Y,115 PSMN130-200D,118 PSMN165-200K,518 PSMN1R0-25YLDX PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-40ULDX PSMN1R0-40YLDX PSMN1R1-25YLC,115
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